套刻(Overlay)
套刻对准是将工艺上下层对准的过程,套刻误差定义为两层之间的偏移。套刻误差测量通常是指对两层不同材料的不同套刻标记,通过图像、算法处理获得两层之间偏移值的过程。
针对测量套刻误差,亚新官方网站半导体测量设备支持测量Box-in-Box、Frame-in-Frame、L-Bars、Circle-in-Circle、Cross-in-Cross或定制开发其他的结构。
关键尺寸(CD)
光学测量是一种非接触式、非破坏性的测量技术,精确且快速,可通过CCD图像提取结构强度信息来计算宽度。强度图必须要进行额外处理,以使其免受噪声或变形的干扰。
亚新官方网站半导体测量设备已具备消除这类干扰的功能,对低于0.7μm的特征结构,系统支持使用UV光测量。
膜厚(Film Thickness)
测量设备拥有定期自动校准功能,支持测量透明和半透明的介质膜,最多可测量三层膜。
主要特点
支持测量关键尺寸、套刻
支持定制OC、SMIF、FOUP
支持200/300mm晶圆以及组合
可配置可见光、紫外光
SECS/GEM
主要特点
支持测量关键尺寸、套刻
机械手晶圆搬运
最大支持8寸晶圆
SECS/GEM
长期维护成本低,稳定可靠
主要特点
晶圆膜厚、关键尺寸测量
最大支持8寸晶圆
全自动校准与测量
SECS/GEM
长期维护成本低,稳定可靠